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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7343TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.494175 +10：￥2.402028 +100：￥2.180867 +500：￥2.070286	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 55V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.7A，3.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 740pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7343TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥6.307125 +300：￥4.26525 +1000：￥3.130875 +4000：￥2.26875 +8000：￥2.155373	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 55V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.7A，3.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 740pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7343TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.524531 +10：￥4.516251 +30：￥4.001609 +100：￥3.497469 +500：￥3.203388	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 55V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.7A，3.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 740pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7343TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	N+P沟道 60V 5.3A 下载数据手册未分类	+1：￥3.398381 +10：￥3.059636 +30：￥3.004999 +100：￥2.546054	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7343TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.86178	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 55V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.7A，3.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 740pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7343TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC 下载数据手册未分类	+10：￥13.192245 +100：￥12.703345 +1000：￥12.119706 +3000：￥11.968209	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 55V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.7A，3.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 740pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7343TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7343TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.486784 +50：￥2.443993 +500：￥2.358198 +5000：￥2.293905 +30000：￥2.143815	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF7343TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 55V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.7A，3.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 740pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF7343TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥2.740794 +8000：￥2.610266 +12000：￥2.489806	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 55V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.7A，3.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 740pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7343TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥6.768576 +8000：￥6.388863	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 55V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.7A，3.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 740pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF7343TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	55V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.7A，3.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	50 毫欧 4.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	36nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	740pF 25V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）