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IRG4PF50WPBF_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 900V 51A 200W TO247AC

晶体管-IGBT

+1:

¥1270.784713

+10:

¥1109.925861

+50:

¥949.06713

+100:

¥804.294139

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 900 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 51 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 204 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.7V 15V,28A

功率 - 最大值: 200 W

开关能量: 190µJ(开),1.06mJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 160 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 29ns/110ns

测试条件: 720V,28A,5 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): -

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: TO-247AC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRG4PF50WPBF_未分类
IRG4PF50WPBF
授权代理品牌

IGBT 900V 51A 200W TO247AC

未分类

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¥91.173745

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¥88.457841

+30:

¥83.768663

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¥79.960032

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 900 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 51 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 204 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.7V 15V,28A

功率 - 最大值: 200 W

开关能量: 190µJ(开),1.06mJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 160 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 29ns/110ns

测试条件: 720V,28A,5 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): -

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: TO-247AC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRG4PF50WPBF_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 900V 51A 200W TO247AC

晶体管-IGBT

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 900 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 51 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 204 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.7V 15V,28A

功率 - 最大值: 200 W

开关能量: 190µJ(开),1.06mJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 160 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 29ns/110ns

测试条件: 720V,28A,5 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): -

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

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IRG4PF50WPBF_晶体管-IGBT
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晶体管-IGBT

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品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

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零件状态: 停产

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 900 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 51 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 204 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.7V 15V,28A

功率 - 最大值: 200 W

开关能量: 190µJ(开),1.06mJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 160 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 29ns/110ns

测试条件: 720V,28A,5 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): -

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: TO-247AC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRG4PF50WPBF_晶体管-IGBT
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IGBT 900V 51A 200W TO247AC

晶体管-IGBT

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货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 900 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 51 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 204 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.7V 15V,28A

功率 - 最大值: 200 W

开关能量: 190µJ(开),1.06mJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 160 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 29ns/110ns

测试条件: 720V,28A,5 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): -

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: TO-247AC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IRG4PF50WPBF参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): 900 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 51 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 204 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.7V 15V,28A
功率 - 最大值: 200 W
开关能量: 190µJ(开),1.06mJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 160 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 29ns/110ns
测试条件: 720V,28A,5 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): -
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247AC
温度: -55°C # 150°C(TJ)