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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRF7301TRPBF_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC

射频晶体管

+10:

¥9.502735

+300:

¥6.42631

+1000:

¥4.717185

+4000:

¥3.41825

+8000:

¥3.247398

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 最后售卖

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 2.6A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 700mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 660pF 15V

功率 - 最大值: 2W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRF7301TRPBF_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC

射频晶体管

+1:

¥6.141126

+10:

¥6.020926

+30:

¥5.933508

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 最后售卖

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 2.6A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 700mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 660pF 15V

功率 - 最大值: 2W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRF7301TRPBF_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC

射频晶体管

+1:

¥4.7432

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 最后售卖

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 2.6A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 700mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 660pF 15V

功率 - 最大值: 2W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRF7301TRPBF_未分类
IRF7301TRPBF
授权代理品牌

IRF7301TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体

未分类

+5:

¥1.223841

+25:

¥1.19328

+50:

¥1.162603

+100:

¥1.132042

+200:

¥1.111668

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
IRF7301TRPBF_未分类
IRF7301TRPBF
授权代理品牌

IRF7301TRPBF BYCHIP/百域芯

未分类

+10:

¥1.183556

+500:

¥1.092567

+2000:

¥1.001462

+6000:

¥0.910472

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
IRF7301TRPBF_未分类
IRF7301TRPBF
授权代理品牌

IRF7301TRPBF VBSEMI/微碧半导体

未分类

+10:

¥1.318303

+50:

¥1.252435

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¥1.208445

+4000:

¥1.197447

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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自营 国内现货
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IRF7301TRPBF_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 最后售卖

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 2.6A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 700mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 660pF 15V

功率 - 最大值: 2W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRF7301TRPBF_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 最后售卖

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 2.6A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 700mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 660pF 15V

功率 - 最大值: 2W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IRF7301TRPBF_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: HEXFET®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

IRF7301TRPBF_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC

射频晶体管

+1:

¥12.850853

库存: 0

货期:7~10 天

系列: HEXFET®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

IRF7301TRPBF参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 最后售卖
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 2.6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 700mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 660pF 15V
功率 - 最大值: 2W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SO
温度: -55°C # 150°C(TJ)