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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7309TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥6.307125 +300：￥4.26525 +1000：￥3.130875 +4000：￥2.26875 +8000：￥2.155373	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A，3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520pF 15V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7309TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.44675	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A，3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520pF 15V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7309TRPBF UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	IRF7309TRPBF UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+500：￥0.682999 +1000：￥0.639009 +2000：￥0.596408	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF7309TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.181414 +100：￥4.155063 +1000：￥3.708104 +2000：￥3.492902 +4000：￥3.327362	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A，3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520pF 15V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7309TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥2.833866 +500：￥2.786635 +1000：￥2.763019 +3000：￥2.715788	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A，3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520pF 15V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7309TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7309TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥2.001534 +100：￥1.917259 +500：￥1.834604 +1000：￥1.750329	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF7309TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.848641 +10：￥3.665273 +50：￥3.395778 +100：￥3.078935 +500：￥2.923004	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A，3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520pF 15V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7309TRPBF 授权代理品牌	IRF7309TRPBF BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥1.657025 +500：￥1.52957 +2000：￥1.402115 +6000：￥1.274661	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF7309TRPBF 授权代理品牌	IRF7309TRPBF UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥1.041863 +1000：￥0.975183 +2000：￥0.910588	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7309TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥2.014811 +8000：￥1.872285 +12000：￥1.80268	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A，3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520pF 15V 功率 - 最大值： 1.4W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF7309TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4A，3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	50 毫欧 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	25nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	520pF 15V
功率 - 最大值:	1.4W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）