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IXTY90N055T2_未分类
IXTY90N055T2
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¥4.196072

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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IXTY90N055T2_未分类
IXTY90N055T2
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IXTY90N055T2 BYCHIP/百域芯

未分类

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

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IXTY90N055T2_未分类
IXTY90N055T2
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IXTY90N055T2 美国力特

未分类

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自营 国内现货
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IXTY90N055T2_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥16.256817

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¥12.881401

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: TrenchT2™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8.4 毫欧 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 42 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2770 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 150W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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IXTY90N055T2_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN2 TO-2

晶体管-FET,MOSFET-单个

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¥39.768482

+70:

¥31.51132

+140:

¥27.010212

+560:

¥24.00876

+1050:

¥20.557454

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: TrenchT2™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8.4 毫欧 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 42 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2770 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 150W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Mouser
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IXTY90N055T2_晶体管
IXTY90N055T2
授权代理品牌

DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN2 TO-2

晶体管

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¥46.438806

+10:

¥38.943421

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¥30.796263

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¥28.840943

+560:

¥26.55974

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: TrenchT2™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8.4 毫欧 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 42 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2770 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 150W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

IXTY90N055T2参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: TrenchT2™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8.4 毫欧 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 42 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2770 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 150W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -55°C # 175°C(TJ)