品牌： International Rectifier

包装： Tube

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： Obsolete

FET 类型： N and P-Channel

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A, 2.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100mOhm 2.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190pF 15V

功率 - 最大值： 2W

工作温度： -

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装： 8-SO

温度： -