IPW65R110CFDAFKSA1厂家价格_数据手册

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	IPW65R110CFDAFKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.666789	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 12.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 118 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3240 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 277.8W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPW65R110CFDAFKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 12.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 118 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3240 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 277.8W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPW65R110CFDAFKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥54.331256 +10：￥49.076888 +100：￥40.629272 +500：￥35.379453 +1000：￥30.814382	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 12.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 118 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3240 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 277.8W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPW65R110CFDAFKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥132.908649 +10：￥120.055071 +100：￥99.389963 +500：￥86.547515 +1000：￥75.380141	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 12.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 118 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3240 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 277.8W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）
	IPW65R110CFDAFKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥132.908649 +10：￥120.055071 +100：￥99.389963 +500：￥86.547515 +1000：￥75.380141	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-247-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -40°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 31.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 110mOhm @ 12.7A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 277.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 1.3mA Supplier Device Package： PG-TO247-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3240 pF @ 100 V

Mouser

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	IPW65R110CFDAFKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥142.689499 +10：￥122.281962 +25：￥111.017 +100：￥101.874425 +240：￥95.997054	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 12.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 118 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3240 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 277.8W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPW65R110CFDAFKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+240：￥62.882399 +250：￥62.794452 +500：￥57.756322	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPW65R110CFDAFKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	31.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	110 毫欧 12.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 1.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	118 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3240 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	277.8W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO247-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-40°C # 150°C（TJ）