搜索 IRF7338TRPBF 共 4 条相关记录
自营 国内现货
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
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 | 授权代理品牌 | MOSFET N/P-CH 12V 6.3A 8-SOIC | 1+: |
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| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
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| 授权代理品牌 | MOSFET N/P-CH 12V 6.3A 8-SOIC | 1+: | ||
 | 授权代理品牌 | MOSFET N/P-CH 12V 6.3A 8-SOIC | 1+: | 系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO | |
 | 授权代理品牌 | MOSFET N/P-CH 12V 6.3A 8-SOIC | +34： ￥5.686337 +50： ￥5.458797 +100： ￥5.231258 +300： ￥5.00405 +500： ￥4.776509 | 系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO |
IRF7338TRPBF参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | HEXFET® |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 和 P 沟道 |
| FET 功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）: | 12V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6.3A，3A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 34 毫欧 6A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.5V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 8.6nC 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 640pF 9V |
| 功率 - 最大值: | 2W |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装: | 8-SO |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |