IRF7748L1TRPBF厂家价格_数据手册

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	IRF7748L1TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+200：￥92.169693 +500：￥51.205385	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Ta），148A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 毫欧 89A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 220 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8075 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET L6 封装/外壳： DirectFET™ 等距 L6 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRF7748L1TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+1：￥26.49863 +10：￥22.553885 +30：￥20.193595 +100：￥17.822377 +500：￥16.72965	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Ta），148A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 毫欧 89A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 220 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8075 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET L6 封装/外壳： DirectFET™ 等距 L6 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRF7748L1TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥38.179251	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Ta），148A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 毫欧 89A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 220 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8075 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET L6 封装/外壳： DirectFET™ 等距 L6 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRF7748L1TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥39.489483 +200：￥37.608342 +1000：￥36.856234	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Ta），148A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 毫欧 89A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 220 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8075 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET L6 封装/外壳： DirectFET™ 等距 L6 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF7748L1TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Ta），148A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 毫欧 89A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 220 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8075 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET L6 封装/外壳： DirectFET™ 等距 L6 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF7748L1TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Ta），148A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 毫欧 89A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 220 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8075 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET L6 封装/外壳： DirectFET™ 等距 L6 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF7748L1TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric L6 供应商器件封装： DIRECTFET L6
IRF7748L1TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric L6 供应商器件封装： DIRECTFET L6

Mouser

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	IRF7748L1TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFET 下载数据手册未分类	+1：￥67.342567 +10：￥57.371944 +25：￥55.900869 +100：￥52.795264 +250：￥49.853113	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Ta），148A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 毫欧 89A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 220 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8075 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.3W（Ta），94W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET L6 封装/外壳： DirectFET™ 等距 L6 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRF7748L1TRPBF Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥39.130614 +10：￥34.310174 +50：￥31.09655 +100：￥27.977444 +200：￥27.693888	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF7748L1TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	28A（Ta），148A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.2 毫欧 89A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	220 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	8075 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.3W（Ta），94W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DIRECTFET L6
封装/外壳:	DirectFET™ 等距 L6
温度:	-55°C # 175°C（TJ）