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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP450LCPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) IRFP450LCPBF TO-247AC-3 下载数据手册未分类	+1：￥126.178679 +10：￥84.1192 +25：￥70.099293	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRFP450LCPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.210359 +10：￥18.14032 +25：￥15.116893	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 8.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 74 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 190W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFP450LCPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.385287 +10：￥14.828305 +25：￥13.221997 +100：￥11.582906 +500：￥10.839852	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 8.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 74 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 190W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRFP450LCPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	N沟道 500V 14A 下载数据手册未分类	+1：￥46.266061 +10：￥45.140552 +25：￥44.386571	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： N沟道漏源电压(Vdss)： 500V 连续漏极电流(Id)： 14A 功率(Pd)： 190W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 400mΩ@10V,8.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP450LCPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+7：￥62.394815 +13：￥59.290418	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 8.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 74 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 190W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRFP450LCPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.018537	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 8.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 74 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 190W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRFP450LCPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥76.514239 +10：￥68.958601 +100：￥60.76439 +500：￥57.288065 +1000：￥51.257813	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 8.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 74 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 190W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP450LCPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 8.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 74 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 190W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRFP450LCPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IRFP450LCPBF 英飞凌下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

Digi-Key

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	IRFP450LCPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥107.855379 +25：￥67.858627 +100：￥57.928283 +500：￥54.233663	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 8.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 74 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 190W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFP450LCPBF参数规格

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