IPP65R110CFDAAKSA1厂家价格_数据手册

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	IPP65R110CFDAAKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3 下载数据手册未分类	+10：￥85.394983 +100：￥72.164753 +250：￥70.661408 +500：￥61.540571 +1000：￥58.734092	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 12.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 118 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3240 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 277.8W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPP65R110CFDAAKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 12.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 118 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3240 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 277.8W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPP65R110CFDAAKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥119.864684 +10：￥108.262737 +100：￥89.635978 +500：￥78.05392 +1000：￥67.982502	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 12.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 118 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3240 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 277.8W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）
	IPP65R110CFDAAKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥107.808864 +10：￥92.346804 +100：￥76.955669 +500：￥67.902562 +1000：￥61.112165	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -40°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 31.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 110mOhm @ 12.7A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 277.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 1.3mA Supplier Device Package： PG-TO220-3 Grade： Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3240 pF @ 100 V Qualification： AEC-Q101

Mouser

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	IPP65R110CFDAAKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥123.241181 +10：￥105.565801 +25：￥95.836235 +100：￥88.052581 +250：￥82.863479	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 31.2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 12.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 118 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3240 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 277.8W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPP65R110CFDAAKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+500：￥55.306358 +1000：￥49.7908	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPP65R110CFDAAKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+4：￥98.47352 +10：￥71.835908 +50：￥63.759922 +100：￥59.782903 +200：￥56.408062	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPP65R110CFDAAKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥77.41635 +10：￥56.475086 +50：￥50.126377 +100：￥46.999401 +200：￥44.346207	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP65R110CFDAAKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS系列, Vds=650 V, 31.2 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚下载数据手册未分类	+2：￥63.254752 +14：￥62.616659 +26：￥59.491789	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPP65R110CFDAAKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS系列, Vds=650 V, 31.2 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚下载数据手册未分类	+50：￥53.613962 +100：￥51.865974 +200：￥50.117989	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPP65R110CFDAAKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	31.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	110 毫欧 12.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 1.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	118 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3240 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	277.8W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-40°C # 150°C（TJ）