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IRF5810TRPBF
授权代理品牌

IRF5810TRPBF UDU SEMICONDUTOR

未分类

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¥1.256357

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¥0.702696

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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IRF5810TRPBF
授权代理品牌

IRF5810TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体

未分类

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¥0.81463

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
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IRF5810TRPBF
授权代理品牌

IRF5810TRPBF VBSEMI/微碧半导体

未分类

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¥1.414387

+50:

¥1.164803

+150:

¥0.998336

+500:

¥0.890214

+3000:

¥0.856875

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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自营 国内现货
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IRF5810TRPBF_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.9A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 90 毫欧 2.9A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 9.6nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 650pF 16V

功率 - 最大值: 960mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装: 6-TSOP

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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IRF5810TRPBF_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.9A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 90 毫欧 2.9A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 9.6nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 650pF 16V

功率 - 最大值: 960mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装: 6-TSOP

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IRF5810TRPBF_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: HEXFET®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装: 6-TSOP

IRF5810TRPBF_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: HEXFET®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装: 6-TSOP

Mouser
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IRF5810TRPBF
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.9A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 90 毫欧 2.9A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 9.6nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 650pF 16V

功率 - 最大值: 960mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装: 6-TSOP

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IRF5810TRPBF参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 停产
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 90 毫欧 2.9A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 9.6nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 650pF 16V
功率 - 最大值: 960mW
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装: 6-TSOP
温度: -55°C # 150°C(TJ)