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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPG20N04S4L08AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.66656 +200：￥6.3888 +500：￥5.11104 +1000：￥4.2592	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.2 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 22µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3050pF 25V 功率 - 最大值： 54W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装，可润湿侧翼封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-10 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IPG20N04S4L08AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.562095 +200：￥2.930312 +500：￥2.825283 +1000：￥2.772768	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.2 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 22µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3050pF 25V 功率 - 最大值： 54W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装，可润湿侧翼封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-10 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPG20N04S4L08AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.2 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 22µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3050pF 25V 功率 - 最大值： 54W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装，可润湿侧翼封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-10 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IPG20N04S4L08AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+5000：￥7.689435	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.2 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 22µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3050pF 25V 功率 - 最大值： 54W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装，可润湿侧翼封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-10 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IPG20N04S4L08AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册未分类	+5000：￥8.80868 +10000：￥8.402187	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 8-PowerVDFN Mounting Type： Surface Mount, Wettable Flank Configuration： 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) Power - Max： 54W Drain to Source Voltage (Vdss)： 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3050pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 8.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 39nC @ 10V FET Feature： Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id： 2.2V @ 22µA Supplier Device Package： PG-TDSON-8-10 Grade： Automotive Qualification： AEC-Q101
	IPG20N04S4L08AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册未分类	+1：￥22.362804 +10：￥18.3007 +100：￥14.230104 +500：￥12.061195 +1000：￥9.825056	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 8-PowerVDFN Mounting Type： Surface Mount, Wettable Flank Configuration： 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) Power - Max： 54W Drain to Source Voltage (Vdss)： 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3050pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 8.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 39nC @ 10V FET Feature： Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id： 2.2V @ 22µA Supplier Device Package： PG-TDSON-8-10 Grade： Automotive Qualification： AEC-Q101
	IPG20N04S4L08AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册未分类	+1：￥22.362804 +10：￥18.3007 +100：￥14.230104 +500：￥12.061195 +1000：￥9.825056	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 8-PowerVDFN Mounting Type： Surface Mount, Wettable Flank Configuration： 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) Power - Max： 54W Drain to Source Voltage (Vdss)： 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3050pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 8.2mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 39nC @ 10V FET Feature： Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id： 2.2V @ 22µA Supplier Device Package： PG-TDSON-8-10 Grade： Automotive Qualification： AEC-Q101

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPG20N04S4L08AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 8TDSON 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.2 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 22µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3050pF 25V 功率 - 最大值： 54W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装，可润湿侧翼封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-10 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IPG20N04S4L08AATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8.2 毫欧 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 22µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	39nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3050pF 25V
功率 - 最大值:	54W
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装，可润湿侧翼
封装/外壳:	8-PowerVDFN
供应商器件封装:	PG-TDSON-8-10
温度:	-55°C # 175°C（TJ）