品牌： IXYS

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： BIMOSFET™

零件状态： 在售

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 3000 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 100 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 3.2V 15V，12A

功率 - 最大值： 160 W

开关能量： -

输入类型： 标准

栅极电荷： 62 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 64ns/180ns

测试条件： 1250V，12A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 1.4 µs

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA

供应商器件封装： TO-268

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： IXYS

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： BIMOSFET™

零件状态： 在售

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 3000 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 100 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 3.2V 15V，12A

功率 - 最大值： 160 W

开关能量： -

输入类型： 标准

栅极电荷： 62 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 64ns/180ns

测试条件： 1250V，12A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 1.4 µs

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA

供应商器件封装： TO-268

温度： -55°C # 150°C（TJ）