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IXBH42N170A_未分类
IXBH42N170A
授权代理品牌

IGBT 1700V 42A 357W TO247

未分类

+1:

¥320.620147

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: BIMOSFET™

零件状态: 在售

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 1700 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 42 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 265 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 6V 15V,21A

功率 - 最大值: 357 W

开关能量: 3.43mJ(开),430µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 188 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 19ns/200ns

测试条件: 850V,21A,1 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 330 ns

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: TO-247AD

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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IXBH42N170A_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 1700V 42A 357W TO247

晶体管-IGBT

+1:

¥171.092704

+10:

¥157.784233

+100:

¥134.738341

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: BIMOSFET™

零件状态: 在售

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 1700 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 42 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 265 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 6V 15V,21A

功率 - 最大值: 357 W

开关能量: 3.43mJ(开),430µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 188 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 19ns/200ns

测试条件: 850V,21A,1 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 330 ns

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: TO-247AD

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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IXBH42N170A_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 1700V 42A 357W TO247

晶体管-IGBT

+1:

¥362.424672

+30:

¥248.143865

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: BIMOSFET™

零件状态: 在售

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 1700 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 42 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 265 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 6V 15V,21A

功率 - 最大值: 357 W

开关能量: 3.43mJ(开),430µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 188 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 19ns/200ns

测试条件: 850V,21A,1 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 330 ns

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: TO-247AD

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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IXBH42N170A_未分类
IXBH42N170A
授权代理品牌

IGBT 1700V 42A 357W TO247

未分类

+1:

¥392.848742

+10:

¥381.904032

+30:

¥268.974528

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: BIMOSFET™

零件状态: 在售

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 1700 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 42 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 265 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 6V 15V,21A

功率 - 最大值: 357 W

开关能量: 3.43mJ(开),430µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 188 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 19ns/200ns

测试条件: 850V,21A,1 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 330 ns

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: TO-247AD

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
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IXBH42N170A_未分类
IXBH42N170A
授权代理品牌

Trans IGBT Chip N-CH 1700V 42A 357mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD

未分类

+300:

¥296.708393

+1500:

¥293.612844

+3000:

¥290.672073

+6000:

¥287.886078

+9000:

¥284.945306

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IXBH42N170A参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: BIMOSFET™
零件状态: 在售
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): 1700 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 42 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 265 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 6V 15V,21A
功率 - 最大值: 357 W
开关能量: 3.43mJ(开),430µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 188 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 19ns/200ns
测试条件: 850V,21A,1 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 330 ns
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247AD
温度: -55°C # 150°C(TJ)