锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 IRFH7911TR2PBF3 条相关记录
Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRFH7911TR2PBF_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A,28A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8.6 毫欧 12A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.35V 25µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1060pF 15V

功率 - 最大值: 2.4W,3.4W

工作温度: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 18-PowerVQFN

供应商器件封装: PQFN(5x6)

温度: -

IRFH7911TR2PBF_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: HEXFET®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -

封装/外壳: 18-PowerVQFN

供应商器件封装: PQFN (5x6)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRFH7911TR2PBF_未分类
IRFH7911TR2PBF
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A,28A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8.6 毫欧 12A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.35V 25µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1060pF 15V

功率 - 最大值: 2.4W,3.4W

工作温度: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 18-PowerVQFN

供应商器件封装: PQFN(5x6)

温度: -

IRFH7911TR2PBF参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A,28A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8.6 毫欧 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.35V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1060pF 15V
功率 - 最大值: 2.4W,3.4W
工作温度: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 18-PowerVQFN
供应商器件封装: PQFN(5x6)
温度: -