锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 IRFI4019HG-117P3 条相关记录
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRFI4019HG-117P_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 150V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 95 毫欧 5.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.9V 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 810pF 25V

功率 - 最大值: 18W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-5 全封装,成形引线

供应商器件封装: TO-220-5 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRFI4019HG-117P_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 150V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 95 毫欧 5.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.9V 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 810pF 25V

功率 - 最大值: 18W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-5 全封装,成形引线

供应商器件封装: TO-220-5 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRFI4019HG-117P_未分类
IRFI4019HG-117P
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 150V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 95 毫欧 5.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.9V 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 810pF 25V

功率 - 最大值: 18W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-5 全封装,成形引线

供应商器件封装: TO-220-5 整包

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IRFI4019HG-117P参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 150V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 95 毫欧 5.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.9V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 810pF 25V
功率 - 最大值: 18W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-5 全封装,成形引线
供应商器件封装: TO-220-5 整包
温度: -55°C # 150°C(TJ)