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	IRFI540NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 20A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.455386 +10：￥12.287066 +50：￥10.118746 +100：￥9.034586 +500：￥8.311853	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 94 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 54W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFI540NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 20A TO220FP 下载数据手册未分类	+1：￥8.56698 +10：￥7.24478 +50：￥6.250398 +100：￥5.430853 +500：￥5.070253	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 94 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 54W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFI540NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 20A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.3361	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 94 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 54W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFI540NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 20A TO220FP 下载数据手册未分类	+250：￥8.231858 +750：￥7.758042 +2500：￥7.095525	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 94 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 54W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFI540NPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFI540NPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.926299 +1000：￥2.776209 +3800：￥2.701166 +5900：￥2.626227 +8450：￥2.526098	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFI540NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 20A TO220FP 下载数据手册未分类	+1：￥4.39183	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 94 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 54W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFI540NPBF 授权代理品牌	IRFI540NPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.857482 +100：￥2.786056 +1000：￥2.619358 +2000：￥2.500355	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFI540NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 20A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.348228 +100：￥5.284559 +1052：￥5.259091 +2104：￥5.246357 +4208：￥5.220889	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 94 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 54W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFI540NPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRFI540NPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥2.396284 +150：￥2.354609 +250：￥2.292098 +5600：￥2.146237	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFI540NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 20A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.539487 +10：￥8.680457 +100：￥5.894738 +500：￥4.699847 +1000：￥4.315048	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 94 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 54W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRFI540NPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	52 毫欧 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	94 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1400 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	54W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB 整包
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFI540NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 20A TO220FP 下载数据手册未分类	+250：￥8.231858 +750：￥7.758042 +2500：￥7.095525	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 94 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 54W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFI540NPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFI540NPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.926299 +1000：￥2.776209 +3800：￥2.701166 +5900：￥2.626227 +8450：￥2.526098	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFI540NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 20A TO220FP 下载数据手册未分类	+1：￥4.39183	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 94 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 54W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFI540NPBF 授权代理品牌	IRFI540NPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.857482 +100：￥2.786056 +1000：￥2.619358 +2000：￥2.500355	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFI540NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 20A TO220FP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.348228 +100：￥5.284559 +1052：￥5.259091 +2104：￥5.246357 +4208：￥5.220889	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 94 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 54W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFI540NPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRFI540NPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥2.396284 +150：￥2.354609 +250：￥2.292098 +5600：￥2.146237	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数