IXFH120N20P厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH120N20P 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥99.940811 +10：￥95.897722 +30：￥88.882414	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IXFH120N20P Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥88.871487 +10：￥85.05787 +30：￥78.446871	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH120N20P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 120A TO247AD 下载数据手册未分类	+1：￥116.75807	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 152 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 714W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH120N20P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 120A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥70.724871 +10：￥65.01962 +100：￥54.914459 +500：￥48.850238 +1000：￥44.807498	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 152 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 714W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH120N20P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 120A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥187.102311 +30：￥119.813864 +120：￥109.052499	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 152 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 714W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH120N20P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 120A TO247AD 下载数据手册未分类	+1：￥201.316324 +10：￥162.512354 +30：￥129.180739 +60：￥129.01491 +120：￥118.0702	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 152 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 714W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH120N20P Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD 下载数据手册未分类	+300：￥143.370363 +1500：￥124.36369 +3000：￥123.465981 +6000：￥122.243239 +9000：￥121.020497	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH120N20P Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	MOSFETs 120 Amps 200V 0.022 Rds 下载数据手册未分类	+30：￥78.80019 +120：￥72.966929	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH120N20P Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N型 TO-247 下载数据手册未分类	+1：￥111.64358 +5：￥98.320338 +10：￥84.984164 +50：￥84.518497 +100：￥83.431942	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH120N20P Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	MOSFET, N, TO-247 下载数据手册未分类	+1：￥125.887252 +5：￥110.860514 +10：￥95.833779 +50：￥95.322666 +100：￥94.083216	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFH120N20P参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Polar
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	22 毫欧 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	152 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6000 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	714W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247AD（IXFH）
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）