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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IGLD60R190D1AUMA1_晶体管-FET，MOSFET-单个
IGLD60R190D1AUMA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
+1：

￥81.8202

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： CoolGaN™

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1,6V 960µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 157 pF 400 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 62.5W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： PG-LSON-8-1

封装/外壳： 8-LDFN 裸焊盘

温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IGLD60R190D1AUMA1_未分类
IGLD60R190D1AUMA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
+1：

￥146.005236

+10：

￥130.171415

+25：

￥116.025727

+100：

￥100.622038

+250：

￥96.195575

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： CoolGaN™

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1,6V 960µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 157 pF 400 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 62.5W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： PG-LSON-8-1

封装/外壳： 8-LDFN 裸焊盘

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 国内现货
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IGLD60R190D1AUMA1_晶体管-FET，MOSFET-单个
IGLD60R190D1AUMA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
+3000：

￥48.705179

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： CoolGaN™

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1,6V 960µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 157 pF 400 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 62.5W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： PG-LSON-8-1

封装/外壳： 8-LDFN 裸焊盘

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key
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IGLD60R190D1AUMA1_晶体管-FET，MOSFET-单个
IGLD60R190D1AUMA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
+3000：

￥119.145772

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： CoolGaN™

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1,6V 960µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 157 pF 400 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 62.5W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： PG-LSON-8-1

封装/外壳： 8-LDFN 裸焊盘

温度： -55°C # 150°C（TJ）

IGLD60R190D1AUMA1_未分类
IGLD60R190D1AUMA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V 10A LSON-8

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未分类
+1：

￥229.020571

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： 8-LDFN Exposed Pad

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 10A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： -

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 62.5W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 1.6V @ 960µA

Supplier Device Package： PG-LSON-8-1

Part Status： Obsolete

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： -

Vgs (Max)： -10V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 157 pF @ 400 V

IGLD60R190D1AUMA1_未分类
IGLD60R190D1AUMA1
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授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V 10A LSON-8

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未分类
+1：

￥229.020571

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： 8-LDFN Exposed Pad

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 10A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： -

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 62.5W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 1.6V @ 960µA

Supplier Device Package： PG-LSON-8-1

Part Status： Obsolete

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： -

Vgs (Max)： -10V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 157 pF @ 400 V

Mouser
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IGLD60R190D1AUMA1
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需询价

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： CoolGaN™

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1,6V 960µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 157 pF 400 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 62.5W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： PG-LSON-8-1

封装/外壳： 8-LDFN 裸焊盘

温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IGLD60R190D1AUMA1_未分类
IGLD60R190D1AUMA1
Infineon(英飞凌)
授权代理品牌

晶体管,GAN晶体管,600V,10A

未分类
+1：

￥120.56302

+10：

￥110.894402

+25：

￥94.316048

+100：

￥86.02687

+250：

￥80.220683

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数
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IGLD60R190D1AUMA1_未分类
IGLD60R190D1AUMA1
Infineon(英飞凌)
授权代理品牌

GAN TRANSISTOR, 600V, 10A

未分类
+1：

￥171.20673

+5：

￥152.559414

+10：

￥130.414254

+50：

￥118.212778

+100：

￥106.198469

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

IGLD60R190D1AUMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列: CoolGaN™
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: -
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: -
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1,6V 960µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: -
Vgs（最大值）: -10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 157 pF 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 62.5W（Tc）
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-LSON-8-1
封装/外壳: 8-LDFN 裸焊盘
温度: -55°C # 150°C（TJ）