IPD60R180P7ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPD60R180P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥43.56 +10：￥29.04 +30：￥24.2	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 5.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1081 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 72W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPD60R180P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.488631 +10：￥17.975359 +30：￥16.390905	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 5.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1081 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 72W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPD60R180P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.756909	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 5.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1081 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 72W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPD60R180P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥5.898336 +5000：￥5.676628	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 5.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1081 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 72W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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IPD60R180P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥14.428894 +5000：￥13.886536	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 5.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1081 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 72W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPD60R180P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥32.004197 +10：￥26.574914 +100：￥21.155632 +500：￥17.900633 +1000：￥15.188421	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3
IPD60R180P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥32.004197 +10：￥26.574914 +100：￥21.155632 +500：￥17.900633 +1000：￥15.188421	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P7 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3

Mouser

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	IPD60R180P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3 下载数据手册未分类	+1：￥35.278977 +10：￥29.235819 +100：￥23.519318 +250：￥23.355989 +500：￥20.416074	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 5.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1081 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 72W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD60R180P7ATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+0：￥14.051644 +2500：￥9.022388 +5000：￥8.931883	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPD60R180P7ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	180 毫欧 5.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 280µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	25 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1081 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	72W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）