IXTQ120N20P厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTQ120N20P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 120A TO3P 下载数据手册未分类	+10：￥90.210577 +100：￥76.192364 +500：￥67.771471 +1000：￥63.732909	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 152 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 714W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTQ120N20P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 120A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥67.517018 +30：￥54.64831 +120：￥51.433542 +510：￥46.611566 +1020：￥42.754043	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 152 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 714W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTQ120N20P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 120A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥165.164516 +30：￥133.684246 +120：￥125.820072 +510：￥114.02424 +1020：￥104.587716	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 152 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 714W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTQ120N20P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 120A TO3P 下载数据手册未分类	+1：￥188.807858 +10：￥166.43184	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 152 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 714W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTQ120N20P 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-3P 下载数据手册未分类	+30：￥103.315744 +50：￥102.284006 +100：￥86.730543 +250：￥81.971648 +500：￥78.811948	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTQ120N20P Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 120A, TO-3P 下载数据手册未分类	+1：￥108.756602 +5：￥102.313025 +10：￥95.869448 +50：￥93.961209 +100：￥92.052968	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTQ120N20P Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 200V, 120A, TO-3P 下载数据手册未分类	+1：￥113.636366 +5：￥106.90092 +10：￥100.165464 +50：￥98.164351 +100：￥96.163238	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTQ120N20P参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Polar
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	22 毫欧 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	152 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6000 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	714W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-3P
封装/外壳:	TO-3P-3，SC-65-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）