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	IRLZ24NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 18A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.165642 +10：￥2.904019 +30：￥2.851694 +100：￥2.69472	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 480 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRLZ24NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 18A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.006039 +10：￥7.33744 +50：￥6.114493	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 480 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRLZ24NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 18A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.892133 +10：￥5.030894 +30：￥4.600275 +100：￥4.169655 +500：￥3.917585	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 480 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRLZ24NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 18A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.379949	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 480 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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IRLZ24NPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRLZ24NPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.090906 +150：￥2.010486 +2000：￥1.769228 +9850：￥1.737081 +19700：￥1.608389	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLZ24NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 18A TO220AB 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 480 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRLZ24NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 18A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥3.550892 +10：￥3.314166 +30：￥2.924295 +100：￥2.616426 +500：￥2.485625	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 480 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRLZ24NPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRLZ24NPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥1.109747 +150：￥1.090459 +500：￥1.061579 +15300：￥1.042186 +21850：￥0.97473	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLZ24NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 18A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥2.316687	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 480 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRLZ24NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 18A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.444627 +10：￥5.743633 +100：￥4.480148 +500：￥3.700799 +1000：￥2.921678	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 480 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRLZ24NPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	60 毫欧 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	15 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	480 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	45W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLZ24NPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRLZ24NPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.090906 +150：￥2.010486 +2000：￥1.769228 +9850：￥1.737081 +19700：￥1.608389	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLZ24NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 18A TO220AB 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 480 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRLZ24NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 18A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥3.550892 +10：￥3.314166 +30：￥2.924295 +100：￥2.616426 +500：￥2.485625	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 480 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRLZ24NPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRLZ24NPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥1.109747 +150：￥1.090459 +500：￥1.061579 +15300：￥1.042186 +21850：￥0.97473	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLZ24NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 18A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥2.316687	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 480 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 45W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）