IPB60R210CFD7ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPB60R210CFD7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3-2 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.917801 +200：￥14.931521 +500：￥11.94512 +1000：￥9.954307	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 210 毫欧 4.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1015 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 64W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPB60R210CFD7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3-2 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.926578	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 210 毫欧 4.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1015 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 64W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPB60R210CFD7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3-2 下载数据手册未分类	+1：￥34.961907 +10：￥31.095959 +1000：￥30.168881	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 210 毫欧 4.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1015 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 64W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPB60R210CFD7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3-2 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥8.142809 +2000：￥7.667294 +5000：￥7.356028	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 210 毫欧 4.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1015 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 64W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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IPB60R210CFD7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3-2 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥16.182439 +2000：￥15.077571 +3000：￥14.879912	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 210 毫欧 4.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1015 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 64W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPB60R210CFD7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 12A TO263-3 下载数据手册未分类	+1：￥48.037715 +10：￥31.16332 +100：￥21.587905 +500：￥18.213026	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 210mOhm @ 4.9A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 250µA Supplier Device Package： PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1015 pF @ 400 V
IPB60R210CFD7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 12A TO263-3 下载数据手册未分类	+1：￥48.037715 +10：￥31.16332 +100：￥21.587905 +500：￥18.213026	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 210mOhm @ 4.9A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 250µA Supplier Device Package： PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1015 pF @ 400 V

Mouser

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	IPB60R210CFD7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3-2 下载数据手册未分类	+1：￥50.411996 +10：￥33.829103 +100：￥23.547708 +500：￥19.401986 +1000：￥17.412038	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 210 毫欧 4.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1015 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 64W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPB60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1000：￥23.78001 +2000：￥23.5432 +3000：￥23.307938 +4000：￥23.074225 +5000：￥22.843605	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPB60R210CFD7ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ CFD7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	210 毫欧 4.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	23 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1015 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	64W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-3-2
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）