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IPG20N04S408AATMA1_射频晶体管
IPG20N04S408AATMA1
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¥7.6472

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¥5.098093

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.6 毫欧 17A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 30µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 36nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2940pF 25V

功率 - 最大值: 65W

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装,可润湿侧翼

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: PG-TDSON-8-10

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 现货库存
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IPG20N04S408AATMA1_射频晶体管
IPG20N04S408AATMA1
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.6 毫欧 17A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 30µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 36nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2940pF 25V

功率 - 最大值: 65W

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装,可润湿侧翼

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: PG-TDSON-8-10

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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IPG20N04S408AATMA1_射频晶体管
IPG20N04S408AATMA1
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.6 毫欧 17A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 30µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 36nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2940pF 25V

功率 - 最大值: 65W

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装,可润湿侧翼

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: PG-TDSON-8-10

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
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IPG20N04S408AATMA1_射频晶体管
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品牌: Infineon Technologies

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封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.6 毫欧 17A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 30µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 36nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2940pF 25V

功率 - 最大值: 65W

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装,可润湿侧翼

封装/外壳: 8-PowerVDFN

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温度: -55°C # 175°C(TJ)

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IPG20N04S408AATMA1_射频晶体管
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货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.6 毫欧 17A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 30µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 36nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2940pF 25V

功率 - 最大值: 65W

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装,可润湿侧翼

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: PG-TDSON-8-10

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

安装类型: Surface Mount, Wettable Flank

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: PG-TDSON-8-10

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货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

安装类型: Surface Mount, Wettable Flank

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: PG-TDSON-8-10

Mouser
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MOSFET 2N-CH 8TDSON

晶体管

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货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.6 毫欧 17A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 30µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 36nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2940pF 25V

功率 - 最大值: 65W

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装,可润湿侧翼

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: PG-TDSON-8-10

温度: -55°C # 175°C(TJ)

IPG20N04S408AATMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.6 毫欧 17A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 30µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 36nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2940pF 25V
功率 - 最大值: 65W
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装,可润湿侧翼
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商器件封装: PG-TDSON-8-10
温度: -55°C # 175°C(TJ)