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IRLHS6276TRPBF_射频晶体管
IRLHS6276TRPBF
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN

射频晶体管

+1:

¥7.564436

+10:

¥5.042917

+30:

¥4.202451

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45mOhm 3.4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 10µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.1nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 310pF 10V

功率 - 最大值: 1.5W

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-VQFN

供应商器件封装: 6-PQFN (2x2)

温度: -55°C # 150°C (TJ)

自营 现货库存
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IRLHS6276TRPBF_未分类
IRLHS6276TRPBF
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN

未分类

+1:

¥14.062336

+200:

¥5.445231

+500:

¥5.250371

+1000:

¥5.163767

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45mOhm 3.4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 10µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.1nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 310pF 10V

功率 - 最大值: 1.5W

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-VQFN

供应商器件封装: 6-PQFN (2x2)

温度: -55°C # 150°C (TJ)

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IRLHS6276TRPBF_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN

射频晶体管

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¥2.72734

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45mOhm 3.4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 10µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.1nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 310pF 10V

功率 - 最大值: 1.5W

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-VQFN

供应商器件封装: 6-PQFN (2x2)

温度: -55°C # 150°C (TJ)

自营 国内现货
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IRLHS6276TRPBF_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN

射频晶体管

+4000:

¥1.324806

+8000:

¥1.192354

+12000:

¥1.104034

+28000:

¥1.086369

+100000:

¥1.059845

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45mOhm 3.4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 10µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.1nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 310pF 10V

功率 - 最大值: 1.5W

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-VQFN

供应商器件封装: 6-PQFN (2x2)

温度: -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
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MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN

射频晶体管

+4000:

¥3.240825

+8000:

¥2.916814

+12000:

¥2.700758

+28000:

¥2.657547

+100000:

¥2.592661

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45mOhm 3.4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 10µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.1nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 310pF 10V

功率 - 最大值: 1.5W

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-VQFN

供应商器件封装: 6-PQFN (2x2)

温度: -55°C # 150°C (TJ)

IRLHS6276TRPBF_射频晶体管
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射频晶体管

+1:

¥8.0755

+10:

¥7.126275

+25:

¥6.698415

+100:

¥4.860884

+250:

¥4.688324

库存: 0

货期:7~10 天

系列: HEXFET®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-VQFN

供应商器件封装: 6-PQFN (2x2)

IRLHS6276TRPBF_射频晶体管
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射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: HEXFET®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-VQFN

供应商器件封装: 6-PQFN (2x2)

Mouser
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IRLHS6276TRPBF
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晶体管

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+:

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+:

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45mOhm 3.4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 10µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.1nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 310pF 10V

功率 - 最大值: 1.5W

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-VQFN

供应商器件封装: 6-PQFN (2x2)

温度: -55°C # 150°C (TJ)

艾睿
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IRLHS6276TRPBF_未分类
IRLHS6276TRPBF
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PQFN EP T/R

未分类

+1:

¥9.706138

+10:

¥8.439684

+25:

¥7.845723

+100:

¥6.160926

库存: 0

货期:7~10 天

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IRLHS6276TRPBF参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: Active
FET 类型: 2 N-Channel (Dual)
FET 功能: Logic Level Gate
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45mOhm 3.4A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.1nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 310pF 10V
功率 - 最大值: 1.5W
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 6-VQFN
供应商器件封装: 6-PQFN (2x2)
温度: -55°C # 150°C (TJ)