IPLK80R1K4P7ATMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPLK80R1K4P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 800V TDSON-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥6.603091	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： - 技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPLK80R1K4P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 800V TDSON-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.408821	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： - 技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPLK80R1K4P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 800V TDSON-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥9.514396	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： - 技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -
IPLK80R1K4P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 800V TDSON-8 下载数据手册未分类	+1：￥20.636067 +10：￥18.442675 +100：￥14.380354 +500：￥11.879366 +1000：￥9.514396	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： - Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： - Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： - Rds On (Max) @ Id, Vgs： - FET Feature： - Power Dissipation (Max)： - Vgs(th) (Max) @ Id： - Supplier Device Package： PG-TDSON-8 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： - Vgs (Max)： - Drain to Source Voltage (Vdss)： 800 V
IPLK80R1K4P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 800V TDSON-8 下载数据手册未分类	+1：￥20.636067 +10：￥18.442675 +100：￥14.380354 +500：￥11.879366 +1000：￥9.514396	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： - Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： - Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： - Rds On (Max) @ Id, Vgs： - FET Feature： - Power Dissipation (Max)： - Vgs(th) (Max) @ Id： - Supplier Device Package： PG-TDSON-8 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： - Vgs (Max)： - Drain to Source Voltage (Vdss)： 800 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPLK80R1K4P7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 800V TDSON-8 下载数据手册未分类	+1：￥22.568367 +10：￥20.37992 +100：￥15.866247 +500：￥13.075975 +1000：￥11.461996	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态：在售 FET 类型： - 技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TDSON-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPLK80R1K4P7ATMA1 授权代理品牌	SP001791366 下载数据手册未分类	+1：￥16.427861 +10：￥15.01051 +25：￥14.098711 +100：￥12.226105 +250：￥11.242084	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPLK80R1K4P7ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	在售
FET 类型:	-
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	-
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	-
工作温度:	-
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TDSON-8
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-