IAUA180N04S5N012AUMA1厂家价格_数据手册

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	IAUA180N04S5N012AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET_(20V 40V) 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.2968 +10：￥20.65228 +30：￥17.00776 +100：￥13.97066 +500：￥12.1484	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 70µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6158 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-5-1 封装/外壳： 5-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IAUA180N04S5N012AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET_(20V 40V) 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.545764	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 70µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6158 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-5-1 封装/外壳： 5-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IAUA180N04S5N012AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET_(20V 40V) 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥10.482526 +1000：￥10.295338 +5000：￥10.108151 +10000：￥9.920962	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 70µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6158 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-5-1 封装/外壳： 5-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IAUA180N04S5N012AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET_(20V 40V) 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥6.231549 +4000：￥6.191336	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 70µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6158 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-5-1 封装/外壳： 5-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IAUA180N04S5N012AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET_(20V 40V) 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥15.244019 +4000：￥15.145649	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 70µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6158 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-5-1 封装/外壳： 5-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IAUA180N04S5N012AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 180A HSOF-5-1 下载数据手册未分类	+1：￥48.343688 +10：￥31.469293 +100：￥21.826564 +500：￥17.693791 +1000：￥16.36342	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 5-PowerSFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.2mOhm @ 90A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.4V @ 70µA Supplier Device Package： PG-HSOF-5-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 7V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 6158 pF @ 25 V
IAUA180N04S5N012AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 180A HSOF-5-1 下载数据手册未分类	+1：￥48.343688 +10：￥31.469293 +100：￥21.826564 +500：￥17.693791 +1000：￥16.36342	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 5-PowerSFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.2mOhm @ 90A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.4V @ 70µA Supplier Device Package： PG-HSOF-5-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 7V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 6158 pF @ 25 V

Mouser

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	IAUA180N04S5N012AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET_(20V 40V) 下载数据手册未分类	+1：￥36.814023 +10：￥30.844181 +100：￥24.708511 +500：￥21.889419 +1000：￥18.572841	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.4V 70µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6158 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-5-1 封装/外壳： 5-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IAUA180N04S5N012AUMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 40V 180A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 下载数据手册未分类	+2000：￥14.710051	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IAUA180N04S5N012AUMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 40V 180A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 下载数据手册未分类	+24：￥12.991286	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IAUA180N04S5N012AUMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™-5
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	7V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.2毫欧 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.4V 70µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	100 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6158 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	125W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-HSOF-5-1
封装/外壳:	5-PowerSFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）