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IXTK140N20P_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥83.490242

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¥62.726794

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¥58.990757

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Polar

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 140A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 18 毫欧 70A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 500µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 240 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7500 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 800W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-264(IXTK)

封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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IXTK140N20P_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥144.30702

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Polar

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 140A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 18 毫欧 70A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 500µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 240 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7500 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 800W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-264(IXTK)

封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Mouser
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IXTK140N20P_晶体管
IXTK140N20P
授权代理品牌

MOSFET N-CH 200V 140A TO-264

晶体管

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¥256.146677

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¥225.676303

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¥195.20593

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Polar

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 140A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 18 毫欧 70A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 500µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 240 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7500 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 800W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-264(IXTK)

封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA

温度: -55°C # 175°C(TJ)

艾睿
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IXTK140N20P_未分类
IXTK140N20P
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 200V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA

未分类

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¥141.422986

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¥140.009471

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¥130.371863

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¥120.648586

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¥119.434962

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IXTK140N20P参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: Polar
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 140A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 18 毫欧 70A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 240 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7500 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 800W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-264(IXTK)
封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA
温度: -55°C # 175°C(TJ)