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自营 现货库存
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IXFK170N10P_未分类
IXFK170N10P
授权代理品牌
+1:

¥156.893743

+200:

¥62.60233

+500:

¥60.515221

+1000:

¥59.477131

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
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IXFK170N10P_未分类
IXFK170N10P
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V 170A TO264AA

未分类

+1:

¥133.638065

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Polar

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 170A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9 毫欧 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 4mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 198 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6000 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 715W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-264AA(IXFK)

封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
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IXFK170N10P_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥74.849265

+10:

¥68.806949

+100:

¥58.11166

+500:

¥51.694154

+1000:

¥47.416039

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Polar

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 170A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9 毫欧 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 4mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 198 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6000 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 715W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-264AA(IXFK)

封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXFK170N10P_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥183.101135

+10:

¥168.320028

+100:

¥142.156517

+500:

¥126.457598

+1000:

¥115.992194

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Polar

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 170A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9 毫欧 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 4mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 198 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6000 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 715W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-264AA(IXFK)

封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXFK170N10P_未分类
IXFK170N10P
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V 170A TO264AA

未分类

+1:

¥216.247061

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Polar

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 170A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9 毫欧 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 4mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 198 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6000 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 715W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-264AA(IXFK)

封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA

温度: -55°C # 175°C(TJ)

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXFK170N10P_未分类
IXFK170N10P
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA

未分类

+25:

¥130.363193

+50:

¥129.169621

+100:

¥111.32886

+250:

¥110.160416

+500:

¥98.513666

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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IXFK170N10P_未分类
IXFK170N10P
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA

未分类

+25:

¥136.731945

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXFK170N10P_未分类
IXFK170N10P
授权代理品牌
+25:

¥87.433049

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IXFK170N10P参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: HiPerFET™, Polar
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 170A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9 毫欧 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 198 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6000 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 715W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-264AA(IXFK)
封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA
温度: -55°C # 175°C(TJ)