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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH02N450HV IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 4500V 200MA TO247HV 下载数据手册未分类	+1：￥259.752819	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 4500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 625 欧姆 10mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 246 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 113W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247HV 封装/外壳： TO-247-3 变式温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IXTH02N450HV Littelfuse(力特) 授权代理品牌	IXTH02N450HV LITTELFUSE 下载数据手册未分类	+1：￥235.95561 +10：￥215.490314 +30：￥203.684998 +120：￥174.49805 +510：￥157.059663	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH02N450HV IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 4500V 200MA TO247HV 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥148.121784 +10：￥131.621922 +100：￥115.122641 +500：￥98.238149	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 4500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 625 欧姆 10mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 246 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 113W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247HV 封装/外壳： TO-247-3 变式温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH02N450HV IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 4500V 200MA TO247HV 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥362.345131 +10：￥321.982097 +100：￥281.620483 +500：￥240.316542	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 4500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 625 欧姆 10mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 246 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 113W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247HV 封装/外壳： TO-247-3 变式温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IXTH02N450HV IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 4500V 200MA TO247HV 下载数据手册未分类	+1：￥414.050902 +10：￥379.019569 +30：￥352.746068 +60：￥345.934421 +120：￥332.635488	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 4500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 625 欧姆 10mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 246 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 113W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247HV 封装/外壳： TO-247-3 变式温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH02N450HV 授权代理品牌	High Voltage Power MOSFET 下载数据手册未分类	+30：￥216.350634 +100：￥197.50476	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTH02N450HV参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	4500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	200mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	625 欧姆 10mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	6.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10.6 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	246 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	113W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247HV
封装/外壳:	TO-247-3 变式
温度:	-55°C # 150°C（TJ）