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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA130N15X4-7 Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥141.704837 +200：￥56.548622 +500：￥54.658205 +1000：￥53.718459	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA130N15X4-7 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+300：￥37.245766	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Ultra X4 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 130A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 65A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 87 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4770 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263-7（IXTA）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA130N15X4-7 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+300：￥91.113011	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Ultra X4 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 130A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 65A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 87 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4770 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263-7（IXTA）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA130N15X4-7 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 下载数据手册未分类	+1：￥176.276155 +10：￥145.266145 +50：￥131.336515 +100：￥116.246081 +250：￥110.442069	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Ultra X4 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 130A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 65A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 87 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4770 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263-7（IXTA）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）温度： -55°C # 150°C（TJ）

IXTA130N15X4-7参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Ultra X4
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	130A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8 毫欧 65A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	87 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4770 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	400W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-263-7（IXTA）
封装/外壳:	TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）