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Digi-Key
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IXTA44P15T-TRL_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+800:

¥61.915258

+1600:

¥54.471005

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchP™

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 44A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 65 毫欧 22A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 175 nC 10 V

Vgs(最大值): ±15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13400 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 298W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263AA

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IXTA44P15T-TRL_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥95.046054

+10:

¥85.875922

+100:

¥71.103368

库存: 0

货期:7~10 天

系列: TrenchP™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: TO-263 (IXTA)

IXTA44P15T-TRL_晶体管-FET,MOSFET-单个
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货期:7~10 天

系列: TrenchP™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: TO-263 (IXTA)

Mouser
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IXTA44P15T-TRL_未分类
IXTA44P15T-TRL
授权代理品牌

MOSFET P-CH 150V 44A TO263

未分类

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¥96.847526

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¥87.475184

+25:

¥83.357035

+100:

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库存: 0

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品牌: IXYS

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchP™

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 44A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 65 毫欧 22A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 175 nC 10 V

Vgs(最大值): ±15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13400 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 298W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263AA

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
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IXTA44P15T-TRL_未分类
IXTA44P15T-TRL
授权代理品牌

Trans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

未分类

+800:

¥46.853838

+2400:

¥46.389556

+4000:

¥45.925273

+8000:

¥45.460991

+12000:

¥45.009605

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货期:7~10 天

暂无参数

IXTA44P15T-TRL参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: TrenchP™
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 44A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 65 毫欧 22A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 175 nC 10 V
Vgs(最大值): ±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13400 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 298W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263AA
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -55°C # 150°C(TJ)