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IPP076N15N5AKSA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
IPP076N15N5AKSA1
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¥69.228335

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¥46.152304

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¥38.460213

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: OptiMOS™ 5

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 112A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 8V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.6 毫欧 56A,10

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.6V 160µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4700 pF 75 V

FET 功能: 标准

功率耗散(最大值): 214W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PG-TO220-3

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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IPP076N15N5AKSA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: OptiMOS™ 5

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 112A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 8V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.6 毫欧 56A,10

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.6V 160µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4700 pF 75 V

FET 功能: 标准

功率耗散(最大值): 214W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PG-TO220-3

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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IPP076N15N5AKSA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
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货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: OptiMOS™ 5

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 112A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 8V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.6 毫欧 56A,10

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.6V 160µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4700 pF 75 V

FET 功能: 标准

功率耗散(最大值): 214W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PG-TO220-3

封装/外壳: TO-220-3

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Mouser
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IPP076N15N5AKSA1_未分类
IPP076N15N5AKSA1
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MOSFET N-CH 150V 112A TO220-3

未分类

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品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: OptiMOS™ 5

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 112A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 8V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.6 毫欧 56A,10

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.6V 160µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4700 pF 75 V

FET 功能: 标准

功率耗散(最大值): 214W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PG-TO220-3

封装/外壳: TO-220-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

艾睿
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IPP076N15N5AKSA1_未分类
IPP076N15N5AKSA1
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Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

未分类

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¥88.699991

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¥79.55346

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货期:7~10 天

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IPP076N15N5AKSA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: OptiMOS™ 5
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 112A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 8V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.6 毫欧 56A,10
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.6V 160µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4700 pF 75 V
FET 功能: 标准
功率耗散(最大值): 214W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-3
封装/外壳: TO-220-3
温度: -55°C # 175°C(TJ)