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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH5110TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥52.736519 +10：￥35.15776 +30：￥29.298093	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH5110TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥24.728412 +10：￥21.668776 +30：￥19.843922	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH5110TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.24924	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH5110TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN 下载数据手册未分类	+3000：￥8.242202	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)
	IRFH5110TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFH5110TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥6.431447 +5000：￥6.056333 +15000：￥5.895493 +20000：￥5.62757	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRFH5110TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥18.119004 +10：￥15.877617 +100：￥12.362144 +500：￥10.288902 +1000：￥8.099802	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)
	IRFH5110TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFH5110TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥6.432935 +20：￥6.327498 +50：￥6.063908 +5000：￥5.958363	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH5110TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥3.395557	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH5110TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥8.30643	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)
	IRFH5110TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 8-PowerVDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 11A (Ta), 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 12.4mOhm @ 37A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.6W (Ta), 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 100µA Supplier Device Package： 8-PQFN (5x6) Part Status： Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3152 pF @ 25 V

IRFH5110TRPBF参数规格

属性	参数值
系列:	HEXFET®
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	8-PowerVDFN
供应商器件封装:	8-PQFN (5x6)