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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IPD30N08S222ATMA1_晶体管-FET，MOSFET-单个
IPD30N08S222ATMA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
+1：

￥6.27264

+200：

￥5.2272

+500：

￥4.18176

+1000：

￥3.4848

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： OptiMOS™

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 75 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21.5 毫欧 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 80µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 57 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 136W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： PG-TO252-3-11

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key
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IPD30N08S222ATMA1_晶体管-FET，MOSFET-单个
IPD30N08S222ATMA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
+2500：

￥11.637217

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： OptiMOS™

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 75 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21.5 毫欧 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 80µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 57 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 136W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： PG-TO252-3-11

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 175°C（TJ）

IPD30N08S222ATMA1_未分类
IPD30N08S222ATMA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3

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未分类
+2500：

￥10.83646

+5000：

￥10.43517

+12500：

￥10.033744

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 21.5mOhm @ 50A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 136W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 80µA

Supplier Device Package： PG-TO252-3-11

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 75 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 57 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1400 pF @ 25 V

IPD30N08S222ATMA1_未分类
IPD30N08S222ATMA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3

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未分类
+1：

￥23.64547

+10：

￥21.267256

+100：

￥17.097178

+500：

￥14.047323

+1000：

￥11.639175

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 21.5mOhm @ 50A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 136W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 80µA

Supplier Device Package： PG-TO252-3-11

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 75 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 57 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1400 pF @ 25 V

IPD30N08S222ATMA1_未分类
IPD30N08S222ATMA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3

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未分类
+1：

￥23.64547

+10：

￥21.267256

+100：

￥17.097178

+500：

￥14.047323

+1000：

￥11.639175

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 21.5mOhm @ 50A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 136W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 80µA

Supplier Device Package： PG-TO252-3-11

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 75 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 57 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1400 pF @ 25 V

Mouser
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IPD30N08S222ATMA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3

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未分类
+1：

￥26.509664

+10：

￥23.844671

+100：

￥19.075737

+500：

￥15.709431

+1000：

￥13.11457

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： OptiMOS™

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 75 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21.5 毫欧 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 80µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 57 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 136W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： PG-TO252-3-11

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 175°C（TJ）

IPD30N08S222ATMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 散装,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列: OptiMOS™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 21.5 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V 80µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 57 nC 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1400 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 136W（Tc）
工作温度: -55°C # 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3-11
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度: -55°C # 175°C（TJ）