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Digi-Key
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IXFR24N100Q3_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥412.228293

+10:

¥380.245063

+100:

¥324.706671

+500:

¥294.798797

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Q3 Class

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 1000 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 490 毫欧 12A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6.5V 4mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 140 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7200 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 500W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: ISOPLUS247™

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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IXFR24N100Q3_未分类
IXFR24N100Q3
授权代理品牌

MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247

未分类

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Q3 Class

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 1000 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 490 毫欧 12A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6.5V 4mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 140 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7200 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 500W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: ISOPLUS247™

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXFR24N100Q3_未分类
IXFR24N100Q3
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 1KV 18A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247

未分类

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¥354.78918

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¥351.178094

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¥347.695976

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¥347.309074

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¥343.826956

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IXFR24N100Q3参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: HiPerFET™, Q3 Class
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 490 毫欧 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 6.5V 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 140 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7200 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 500W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: ISOPLUS247™
封装/外壳: TO-247-3
温度: -55°C # 150°C(TJ)