IXFH20N85X厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH20N85X IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 850V 20A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥25.110866 +10：￥21.537649 +30：￥21.209831 +100：￥19.057159	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 850 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 330 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH20N85X IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 850V 20A TO247 下载数据手册未分类	+450：￥26.479008	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 850 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 330 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IXFH20N85X ISC(无锡固电) 授权代理品牌	IXFH20N85X ISC/无锡固电半导体下载数据手册未分类	+10：￥86.026664 +100：￥64.519998 +500：￥51.616 +1000：￥43.013332	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH20N85X Zilog 授权代理品牌	IXFH20N85X 美国力特下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	封装/外壳： TO-247

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH20N85X IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 850V 20A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥59.349274 +30：￥37.293921 +120：￥32.357549	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 850 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 330 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH20N85X IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 850V 20A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥145.184049 +30：￥91.230812 +120：￥79.155139	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 850 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 330 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH20N85X IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 850V 20A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥164.999787 +10：￥161.849039 +30：￥131.668173 +120：￥117.904371 +270：￥117.738542	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 850 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 330 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH20N85X Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 850V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD 下载数据手册未分类	+300：￥107.214347 +500：￥106.146383 +1000：￥105.078418 +2000：￥104.025932 +2500：￥102.988922	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH20N85X Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET 下载数据手册未分类	+30：￥59.709314 +120：￥51.895008	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFH20N85X参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Ultra X
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	850 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	330 毫欧 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5.5V 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	63 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1660 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	540W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247（IXTH）
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）