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搜索 ISP25DP06NMXTSA1 共 7 条相关记录
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
ISP25DP06NMXTSA1_晶体管-FET，MOSFET-单个
ISP25DP06NMXTSA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
+1：

￥2.60876

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： OptiMOS™

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 1.9A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.8 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 420 pF 30 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta），4.2W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： PG-SOT223-4

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
ISP25DP06NMXTSA1_晶体管-FET，MOSFET-单个
ISP25DP06NMXTSA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
+1000：

￥3.392654

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： OptiMOS™

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 1.9A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.8 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 420 pF 30 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta），4.2W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： PG-SOT223-4

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

ISP25DP06NMXTSA1_未分类
ISP25DP06NMXTSA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4

未分类
+1000：

￥5.3959

+2000：

￥4.890175

+5000：

￥4.552791

+10000：

￥4.384169

+25000：

￥4.215548

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： TO-261-4, TO-261AA

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1.9A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 250mOhm @ 1.9A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 270µA

Supplier Device Package： PG-SOT223-4

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 10.8 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 420 pF @ 30 V

ISP25DP06NMXTSA1_未分类
ISP25DP06NMXTSA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4

未分类
+1：

￥12.67101

+10：

￥11.125425

+100：

￥8.532742

+500：

￥6.744876

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： TO-261-4, TO-261AA

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1.9A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 250mOhm @ 1.9A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 270µA

Supplier Device Package： PG-SOT223-4

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 10.8 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 420 pF @ 30 V

ISP25DP06NMXTSA1_未分类
ISP25DP06NMXTSA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4

未分类
+1：

￥12.67101

+10：

￥11.125425

+100：

￥8.532742

+500：

￥6.744876

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： TO-261-4, TO-261AA

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1.9A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 250mOhm @ 1.9A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 270µA

Supplier Device Package： PG-SOT223-4

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 10.8 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 420 pF @ 30 V

Mouser
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ISP25DP06NMXTSA1_未分类
ISP25DP06NMXTSA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET P-CH 60V SOT223-4

下载数据手册

未分类
+1：

￥14.568629

+10：

￥11.969454

+100：

￥9.50272

+500：

￥7.764417

+1000：

￥5.496348

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： OptiMOS™

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 1.9A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 270µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.8 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 420 pF 30 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta），4.2W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： PG-SOT223-4

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
ISP25DP06NMXTSA1_未分类
ISP25DP06NMXTSA1
授权代理品牌

Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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未分类
+1000：

￥3.598189

+2000：

￥3.268033

+5000：

￥3.139065

+10000：

￥3.087478

+25000：

￥3.007519

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

ISP25DP06NMXTSA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 卷带（TR）
封装/外壳: *
系列: OptiMOS™
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 250 毫欧 1.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 10.8 nC 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 420 pF 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.8W（Ta），4.2W（Tc）
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-SOT223-4
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
温度: -55°C # 150°C（TJ）