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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH34N65X2 Littelfuse(力特) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) IXFH34N65X2 TO-247-3 下载数据手册未分类	+1：￥92.67269 +5：￥62.67074 +15：￥46.00299 +30：￥33.3355 +60：￥31.668725	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH34N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 34A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.925103 +10：￥21.537649 +30：￥19.516104	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH34N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 34A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+450：￥22.376544 +900：￥21.598273 +1800：￥21.208964 +3600：￥21.014483	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IXFH34N65X2 Littelfuse(力特) 授权代理品牌	IXFH34N65X2 LITTELFUSE 下载数据手册未分类	+10：￥45.130011 +500：￥41.382315 +1000：￥40.636689 +2000：￥40.263819	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH34N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 34A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥50.781465 +30：￥31.54661 +120：￥27.153263 +510：￥26.537507	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH34N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 34A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥124.224919 +30：￥77.171366 +120：￥66.424074 +510：￥64.917772	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH34N65X2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 34A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥134.653093 +10：￥116.080254 +30：￥82.251151 +120：￥71.969757 +510：￥71.140612	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 2.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 540W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH34N65X2 Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	MOSFETs MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2 下载数据手册未分类	+30：￥49.090654 +120：￥44.821901 +510：￥44.008804 +2520：￥43.094073	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH34N65X2 Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+1：￥86.152964 +10：￥65.437533 +25：￥47.238929 +100：￥42.398875	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IXFH34N65X2 Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	Days to ship 10 下载数据手册未分类	+1：￥115.193289 +10：￥85.572158	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFH34N65X2参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Ultra X2
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	34A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	105 毫欧 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5.5V 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	56 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3330 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	540W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247（IXTH）
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）