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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF3007SPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 62A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.70824 +200：￥5.5902 +500：￥4.47216 +1000：￥3.7268	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 62A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.6 毫欧 48A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 120W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF3007SPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 62A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.88418 +200：￥2.666254 +500：￥2.578836 +1000：￥2.524199	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 62A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.6 毫欧 48A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 120W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF3007SPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 62A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.025937	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 62A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.6 毫欧 48A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 120W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF3007SPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 62A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+9：￥9.297923 +20：￥6.973425 +50：￥5.57874 +100：￥5.113868 +1000：￥4.648928	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 62A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.6 毫欧 48A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 120W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF3007SPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 62A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+9：￥22.745182 +20：￥17.058845 +50：￥13.647077 +100：￥12.509875 +1000：￥11.372508	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 62A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.6 毫欧 48A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 120W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRF3007SPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	Digi-Key 停止提供
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	62A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	12.6 毫欧 48A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	130 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3270 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	120W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D2PAK
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）