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IPD60R600E6ATMA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
IPD60R600E6ATMA1
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¥7.8408

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¥6.534

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¥5.2272

+1000:

¥4.356

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: CoolMOS™ E6

工作温度: -

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: TO-252

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IPD60R600E6ATMA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
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系列: CoolMOS™ E6

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安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: TO-252

Digi-Key
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IPD60R600E6ATMA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
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+2500:

¥8.154553

库存: 0

货期:7~10 天

系列: CoolMOS™ E6

工作温度: -

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: TO-252

IPD60R600E6ATMA1_未分类
IPD60R600E6ATMA1
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252

未分类

+2500:

¥12.5065

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Tape & Reel (TR)

Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type: Surface Mount

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 63W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA

Supplier Device Package: PG-TO252-3

Part Status: Not For New Designs

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V

Mouser
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IPD60R600E6ATMA1_未分类
IPD60R600E6ATMA1
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MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252

未分类

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¥24.947636

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¥20.382054

+100:

¥15.946921

+500:

¥13.517379

+1000:

¥11.00631

库存: 0

货期:7~10 天

系列: CoolMOS™ E6

工作温度: -

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: TO-252

艾睿
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IPD60R600E6ATMA1
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Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

未分类

+2500:

¥9.845188

库存: 0

货期:7~10 天

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IPD60R600E6ATMA1参数规格

属性 参数值
系列: CoolMOS™ E6
工作温度: -
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装: TO-252