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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL100HS121 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥29.649719 +10：￥19.76656 +30：￥16.472093	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 6.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 11.5W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN 双通道（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL100HS121 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.5574	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 6.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 11.5W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN 双通道（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRL100HS121 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥3.031922 +8000：￥2.880283 +12000：￥2.824742	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 6.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 11.5W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN 双通道（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRL100HS121 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥7.416886 +8000：￥7.045934 +12000：￥6.910066	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 6.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 11.5W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN 双通道（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRL100HS121 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.509301 +10：￥15.622639 +100：￥12.184573 +500：￥10.065541 +1000：￥7.946509	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-VDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-PQFN (2x2)
IRL100HS121 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.509301 +10：￥15.622639 +100：￥12.184573 +500：￥10.065541 +1000：￥7.946509	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-VDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-PQFN (2x2)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL100HS121 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥18.795212 +10：￥16.831533 +100：￥13.142622 +500：￥10.856339 +1000：￥8.331609	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 42 毫欧 6.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 11.5W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN 双通道（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL100HS121 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.1A 6-Pin PQFN EP T/R 下载数据手册未分类	+1：￥16.569293 +10：￥14.748782 +25：￥13.541389 +100：￥11.355268	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRL100HS121参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	42 毫欧 6.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.3V 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	5.6 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	440 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	11.5W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	6-PQFN 双通道（2x2）
封装/外壳:	6-PowerVDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）