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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH8324TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 90A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.49608 +10：￥6.33072 +30：￥5.2756	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Ta），90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.1 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2380 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），54W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFH8324TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 90A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.138162	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Ta），90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.1 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2380 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），54W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFH8324TRPBF UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	IRFH8324TRPBF UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+500：￥2.362944 +1000：￥2.337939 +2000：￥2.312935	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFH8324TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFH8324TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+3：￥3.531914 +5000：￥3.249337 +15000：￥3.108107 +20000：￥2.966761	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFH8324TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 90A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.026665 +10：￥7.971742 +100：￥5.988287 +500：￥4.743411 +1000：￥3.80003	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Ta），90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.1 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2380 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），54W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH8324TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 90A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥8.083529 +100：￥7.727184 +250：￥7.542754 +500：￥7.360901	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Ta），90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.1 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2380 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），54W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH8324TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 90A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥2.316241	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Ta），90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.1 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2380 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），54W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH8324TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 90A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥8.800759 +100：￥6.746867 +500：￥5.342104 +1000：￥4.267302 +2000：￥3.873655	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Ta），90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.1 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2380 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），54W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH8324TRPBF 授权代理品牌	IRFH8324TRPBF UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥3.93824 +1000：￥3.79921 +2000：￥3.662147	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	IRFH8324TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 90A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥1.914891 +8000：￥1.814141 +12000：￥1.679749 +28000：￥1.663103	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Ta），90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.1 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2380 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），54W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFH8324TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	23A（Ta），90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.1 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.35V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	31 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2380 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.6W（Ta），54W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFH8324TRPBF UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	IRFH8324TRPBF UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+500：￥2.362944 +1000：￥2.337939 +2000：￥2.312935	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFH8324TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFH8324TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+3：￥3.531914 +5000：￥3.249337 +15000：￥3.108107 +20000：￥2.966761	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFH8324TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 90A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.026665 +10：￥7.971742 +100：￥5.988287 +500：￥4.743411 +1000：￥3.80003	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Ta），90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.1 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2380 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），54W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH8324TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 90A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥8.083529 +100：￥7.727184 +250：￥7.542754 +500：￥7.360901	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Ta），90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.1 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2380 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），54W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH8324TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 90A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥2.316241	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Ta），90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.1 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2380 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），54W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH8324TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 90A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥8.800759 +100：￥6.746867 +500：￥5.342104 +1000：￥4.267302 +2000：￥3.873655	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Ta），90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.1 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2380 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），54W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH8324TRPBF 授权代理品牌	IRFH8324TRPBF UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥3.93824 +1000：￥3.79921 +2000：￥3.662147	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数