IPP60R105CFD7XKSA1厂家价格_数据手册

搜索 IPP60R105CFD7XKSA1 共 6 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP60R105CFD7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥56.787962	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 9.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 470µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1752 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 106W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP60R105CFD7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥35.023307 +10：￥31.468151 +100：￥25.784126 +500：￥22.037742	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 9.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 470µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1752 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 106W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP60R105CFD7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥85.676288 +10：￥76.979434 +100：￥63.074806 +500：￥53.910156	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 9.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 470µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1752 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 106W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IPP60R105CFD7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 下载数据手册未分类	+1：￥79.563787 +10：￥71.511383 +100：￥58.587754 +500：￥49.874424 +1000：￥42.062769	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 105mOhm @ 9.3A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 470µA Supplier Device Package： PG-TO220-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1752 pF @ 400 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP60R105CFD7XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 下载数据手册未分类	+1：￥77.756311 +10：￥65.204453 +25：￥63.411332 +100：￥52.815608 +250：￥51.348507	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 9.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 470µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 42 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1752 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 106W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP60R105CFD7XKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+500：￥33.518614 +1000：￥32.280528	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPP60R105CFD7XKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ CFD7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	105 毫欧 9.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 470µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	42 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1752 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	106W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）