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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRFPE40PBF_未分类
IRFPE40PBF
授权代理品牌

场效应管(MOSFET) IRFPE40PBF TO-247AC-3

未分类

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¥82.357319

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¥68.6312

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¥54.90496

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¥45.754093

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
IRFPE40PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
IRFPE40PBF
授权代理品牌
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¥35.2836

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¥23.5224

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¥19.602

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2 欧姆 3.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 130 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1900 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 150W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247AC

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRFPE40PBF_未分类
授权代理品牌

MOSFET N-CH 800V 5.4A TO247-3

未分类

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¥15.691348

+10:

¥13.580263

+30:

¥12.256896

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2 欧姆 3.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 130 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1900 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 150W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247AC

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IRFPE40PBF_未分类
IRFPE40PBF
授权代理品牌
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¥38.965796

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¥34.638597

+30:

¥31.991864

+100:

¥29.786253

库存: 1000 +

国内:1~2 天

类型: N沟道

漏源电压(Vdss): 800V

连续漏极电流(Id): 5.4A

功率(Pd): 150W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2Ω@10V,3.2A

阈值电压(Vgs(th)@Id): 4V@250uA

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IRFPE40PBF_未分类
IRFPE40PBF
授权代理品牌

MOSFET N-CH 800V 5.4A TO247-3

未分类

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¥12.309761

+100:

¥12.091901

+375:

¥11.874041

+1000:

¥11.656181

+2500:

¥11.5472

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2 欧姆 3.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 130 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1900 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 150W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247AC

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRFPE40PBF
授权代理品牌

MOSFET N-CH 800V 5.4A TO247-3

未分类

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¥11.046027

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¥10.63339

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¥10.335848

+500:

¥10.04579

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2 欧姆 3.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 130 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1900 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 150W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247AC

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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MOSFET N-CH 800V 5.4A TO247-3

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库存: 1000 +

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品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2 欧姆 3.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 130 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1900 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 150W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247AC

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
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IRFPE40PBF
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2 欧姆 3.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 130 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1900 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 150W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247AC

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRFPE40PBF
授权代理品牌

IRFPE40PBF 英飞凌

未分类

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRFPE40PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥24.483935

+25:

¥19.390809

+100:

¥16.620443

+500:

¥14.773571

+1000:

¥12.649838

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2 欧姆 3.2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 130 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1900 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 150W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247AC

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IRFPE40PBF参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay Siliconix
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2 欧姆 3.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 130 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1900 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 150W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247AC
封装/外壳: TO-247-3
温度: -55°C # 150°C(TJ)