品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 67A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.9 毫欧 21A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.55V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1220 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 57W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： Infineon Technologies

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 67A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.9 毫欧 21A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.55V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1220 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 57W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 175°C（TJ）