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	IRF9335TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥7.148075 +300：￥4.83395 +1000：￥3.548325 +4000：￥2.57125 +8000：￥2.442748	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 59 毫欧 5.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 386 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF9335TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.16616	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 59 毫欧 5.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 386 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF9335TRPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRF9335TRPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥0.61669 +150：￥0.605939 +500：￥0.589919 +27550：￥0.579167 +39350：￥0.541646	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF9335TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO 下载数据手册未分类	+4831：￥2.031123	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 59 毫欧 5.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 386 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF9335TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO 下载数据手册未分类	+1：￥8.029305 +10：￥7.082454 +100：￥5.250756 +500：￥4.142129 +1000：￥3.459948	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 59 毫欧 5.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 386 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF9335TRPBF 授权代理品牌	IRF9335TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥1.123128 +100：￥1.095113 +4000：￥1.029592 +8000：￥0.982824	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF9335TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥3.512813 +8000：￥3.394735 +16000：￥3.335697 +32000：￥3.306177	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 59 毫欧 5.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 386 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF9335TRPBF 授权代理品牌	IRF9335TRPBF BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥1.183556 +500：￥1.092567 +2000：￥1.001462 +6000：￥0.910472	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF9335TRPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRF9335TRPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥0.883499 +3000：￥0.812768 +9000：￥0.798646 +15000：￥0.777461 +21000：￥0.72803	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9335TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥1.717377 +8000：￥1.627009 +12000：￥1.506496 +28000：￥1.49155	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 59 毫欧 5.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 386 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF9335TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	59 毫欧 5.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	14 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	386 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF9335TRPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRF9335TRPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥0.61669 +150：￥0.605939 +500：￥0.589919 +27550：￥0.579167 +39350：￥0.541646	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF9335TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO 下载数据手册未分类	+4831：￥2.031123	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 59 毫欧 5.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 386 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF9335TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO 下载数据手册未分类	+1：￥8.029305 +10：￥7.082454 +100：￥5.250756 +500：￥4.142129 +1000：￥3.459948	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 59 毫欧 5.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 386 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF9335TRPBF 授权代理品牌	IRF9335TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥1.123128 +100：￥1.095113 +4000：￥1.029592 +8000：￥0.982824	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF9335TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥3.512813 +8000：￥3.394735 +16000：￥3.335697 +32000：￥3.306177	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 59 毫欧 5.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 386 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF9335TRPBF 授权代理品牌	IRF9335TRPBF BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥1.183556 +500：￥1.092567 +2000：￥1.001462 +6000：￥0.910472	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF9335TRPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRF9335TRPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥0.883499 +3000：￥0.812768 +9000：￥0.798646 +15000：￥0.777461 +21000：￥0.72803	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数