IRLZ44ZSTRLPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLZ44ZSTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.941479 +10：￥15.2944 +30：￥12.745293	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 51A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.5 毫欧 31A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1620 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRLZ44ZSTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥12.92696 +10：￥10.227925 +30：￥8.632543	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 51A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.5 毫欧 31A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1620 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRLZ44ZSTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.028014	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 51A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.5 毫欧 31A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1620 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRLZ44ZSTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥5.717794 +1600：￥4.514075	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 51A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.5 毫欧 31A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1620 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLZ44ZSTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥13.987239 +1600：￥11.042624	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 51A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.5 毫欧 31A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1620 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRLZ44ZSTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.249286 +10：￥21.712867 +100：￥16.932692	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK
IRLZ44ZSTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.249286 +10：￥21.712867 +100：￥16.932692	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK

Mouser

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	IRLZ44ZSTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥24.708899 +10：￥22.152806 +100：￥17.32463 +500：￥14.342522 +800：￥14.342522	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 51A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13.5 毫欧 31A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1620 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 80W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLZ44ZSTRLPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+800：￥5.757102 +2400：￥5.701646	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IRLZ44ZSTRLPBF Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥12.408515 +10：￥11.121162 +25：￥11.058746 +100：￥10.348752 +250：￥7.756882	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRLZ44ZSTRLPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	51A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	13.5 毫欧 31A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	36 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1620 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	80W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D2PAK
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）