IPL60R180P6AUMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPL60R180P6AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 4VSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥28.887419 +10：￥19.25836 +30：￥16.048593	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 750µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2080 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 176W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-VSON-4 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPL60R180P6AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 4VSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥45.337243 +10：￥44.222662 +30：￥43.479607 +100：￥42.736553	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 750µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2080 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 176W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-VSON-4 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPL60R180P6AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 4VSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥43.010539	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 750µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2080 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 176W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-VSON-4 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPL60R180P6AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 4VSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥9.94436 +6000：￥9.540616	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 750µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2080 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 176W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-VSON-4 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPL60R180P6AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 4VSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥24.326538 +6000：￥23.338873	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 750µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2080 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 176W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-VSON-4 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPL60R180P6AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 4VSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥49.968529 +10：￥41.959289 +100：￥33.944336 +500：￥30.172427 +1000：￥25.835158	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P6 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 4-PowerTSFN 供应商器件封装： PG-VSON-4
IPL60R180P6AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 4VSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥49.968529 +10：￥41.959289 +100：￥33.944336 +500：￥30.172427 +1000：￥25.835158	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ P6 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 4-PowerTSFN 供应商器件封装： PG-VSON-4

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPL60R180P6AUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 4VSON 下载数据手册未分类	+1：￥61.364578 +10：￥51.572359 +100：￥41.780138 +500：￥37.047234 +1000：￥31.824716	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P6 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 750µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2080 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 176W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-VSON-4 封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPL60R180P6AUMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 22.4A Automotive 5-Pin Thin-PAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥23.28692	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPL60R180P6AUMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P6
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	22.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	180 毫欧 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 750µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	44 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2080 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	176W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-VSON-4
封装/外壳:	4-PowerTSFN
温度:	-40°C # 150°C（TJ）